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ALD前驱体是指一种用于制备ALD薄膜的化学物质。ALD是一种高级表面处理技术，可以制备出均匀、致密的薄膜，被广泛应用于半导体器件、光电器件和纳米材料等领域。
ALD前驱体通常由金属有机化合物、金属卤化物或氮化物等组成，这些化合物在特定条件下能够分解为金属原子或氮原子，并与基质表面上的官能团发生反应，形成一层致密的薄膜。基于不同材料的特性，通常需要选用特定的ALD前驱体。
ALD前驱体具有高纯度、可控性强、易于加工等优点，在制备高精度器件和功能材料中扮演着至关重要的角色。在近年来兴起的2D材料研究中，ALD前驱体更是被广泛应用于制备出具有优异性能的二维薄膜。
值得一提的是，目前市面上已经存在许多种类的ALD前驱体，如Al2O3、TiO2、HfO2等常见材料，同时也不断有新的ALD前驱体被开发出来。因此，在ALD领域的研究者和从业人员，需要不断更新对ALD前驱体的了解，以保持在该领域的竞争力。
ALD前驱体是一种用于制备高精度薄膜的化学物质，它在半导体、光电和纳米材料等领域具有广泛应用，对器件性能和材料功能发挥起关键作用。在未来的研究中，我们有理由相信，ALD前驱体将继续发挥其重要作用，推动材料科学领域的不断发展。
